前处理：包括除油、微蚀等步骤，去除基板表面的有机物和氧化层，粗化表面以提高镀层附着力。对于罗杰斯等特殊基材，可能还需要进行等离子体处理。 种子层沉积：采用化学镀或物相沉积（PVD）方法，在基板表面形成一层薄的导电种子层，通常为铜或镍，厚度约 0.1-0.5μm。
电镀液成分：酸性镀铜液中，硫酸铜、硫酸的浓度以及添加剂的种类和含量，直接影响镀层的结晶质量和表面平整度。 电流密度：过高的电流密度会导致镀层粗糙、内应力增大；过低则会影响沉积速度和镀层均匀性。一般脉冲电镀的电流密度在 1-5A/dm² 之间。 温度和搅拌：镀液温度和搅拌速度会影响离子扩散速度和镀层的均匀性。如化学沉银时，需通过恒温搅拌，确保银层均匀性达 90% 以上。
图形电镀：加厚功能镀层 优先采用脉冲电镀或周期反向电镀，在线路裸露区域沉积铜层（厚度 5-15μm），保证镀层结晶细密、低电阻率。 关键区域（如射频接口、连接器）需进行选择性电镀，额外沉积金、银等低损耗镀层，厚度根据需求控制在 0.1-3μm。 电镀过程中严格控制电流密度（1-5A/dm²）、镀液温度（20-30℃）及搅拌速度，确保镀层均匀性与平整度。
去胶与蚀刻：剥离多余金属 用化学脱胶剂或等离子体去除表面光刻胶 / 干膜，露出下方未被电镀覆盖的种子层。 采用微蚀工艺，蚀刻掉多余种子层，仅保留电镀形成的功能线路，控制侧蚀量≤0.5μm。 蚀刻后彻底水洗，避免残留药剂腐蚀镀层或基材。